CES 2026上黄仁勋关于Rubin架构的演讲，成为存储行业的“引爆点”。相较于前代Blackwell架构，Rubin对DDR内存与NAND闪存的搭载需求大幅提升，直接点燃了市场对传统存储领域的热情。此前聚焦于HBM的市场目光，正快速扩散至DDR、NAND、HDD等传统赛道，供需关系的根本性重塑，推动存储全品类价格进入上涨通道。
这一轮存储行业的回暖，并非传统周期的简单复刻，而是AI算力爆发引发的结构性变革。当AI从训练阶段迈入推理时代，“长文本处理”与“多模态交互”对存储的容量、速度、成本提出了多元化要求，传统存储不再是算力的“附属品”，而是成为支撑AI数据中心高效运转的核心基础设施。本文将聚焦DDR、NAND、HDD三大传统存储品类，拆解其在AI时代的增量价值，深度剖析供需失衡的核心逻辑，并预判2026-2027年行业格局演变。
核心结论先行：2026-2027年将成为存储行业“供需紧平衡”的关键周期，DRAM（含DDR）、NAND、HDD三大品类均将呈现需求增速跑赢供给的格局， 其中DRAM的供需缺口将在2027年显著扩大，NAND缺口持续维持在5%-6%，HDD则受厂商控量策略影响呈现“被动紧张”。 三者的差异核心在于扩产门槛不同：DRAM需新建产线导致供给弹性不足，NAND可通过堆叠层数升级实现产能提升，HDD则依靠增加盘片/磁头扩容，后两者厂商为追求利润最大化，均主动维持“紧平衡”而非无序扩产。

一、DRAM：AI推理核心缺口，2027年供需失衡将加剧

在AI存储体系中，HBM的“高速”与DDR的“大容量”形成互补，缺一不可。随着AI推理场景的普及，DDR的价值被重新定义——其不仅是CPU侧的系统内存，更通过CXL接口成为HBM的“外挂仓库”，承担数据预处理、模型调度、KV Cache存储等关键职能，缓解HBM容量不足的痛点。这一角色转变，直接引发了DDR市场的供需重构。 价格是供需变化最直观的映射。以DDR5（16Gb(2Gx8)，4800/5600Mbps）为例，其市场价从2025年9月初的6美元飙升至当前的31美元，涨幅超5倍，且上涨动能仍在持续。 背后的核心逻辑是“此消彼长”的供需格局：供应端，三星、海力士、美光三大原厂（合计市占率超90%）将大量DRAM产能转向高附加值的HBM，直接挤压了传统DDR的供给；需求端，AI服务器从训练向推理转型，CPU侧DDR配置量激增，英伟达Rubin架构下NVL72单CPU搭载容量从Blackwell的500GB提升至1.5TB，带动DDR需求呈指数级增长。 从资本开支、供给、需求三个维度拆解，更能看清DRAM缺口的必然性。资本开支层面，2023年行业投入缩减后，2024年起全球核心厂商重启DRAM领域两位数扩张，但资源高度倾斜于HBM而非传统DDR，传统DDR产能增长缺乏动力。供给端，当前三大原厂DRAM月产能约160万片，2026年四季度预计提升至167.5万片，全年产能约1965万片，折算后2026年全球DRAM供应量约449亿GB，2024-2027年复合增长率约18%。 需求端，AI服务器成为核心驱动力，按CoWoS出货量测算，2026-2027年AI服务器DDR需求量将分别达80亿GB、144亿GB，同比增速222%、80%；叠加手机、PC等传统领域5%左右的稳健增长，2026-2027年全球DRAM总需求将达439亿GB、542亿GB，同比增长25%、23%。 供需对比清晰显示紧张格局：2026年需求增速25%远超供给增速18%，尽管绝对缺口尚未完全显现，但供应充足度已低于正常水位；2027年需求增速23%仍高于供给增速18.5%，缺口将扩大至2%左右。这意味着，DRAM市场的“供不应求”将持续至2027年，且紧张程度不断加剧。

二、NAND：AI“热数据仓库”，层数升级能否对冲需求爆发？

如果说DDR是AI推理的“高速缓冲”，NAND则是承接高频访问数据的“热数据仓库”，连接DRAM与HDD，构成推理服务的“快速响应核心”。相较于DRAM的陡峭涨幅，NAND价格同样走出强势回升行情，以NAND Flash(32Gb 4Gx8 MLC)为例，2025年初价格仅2.3美元，当前已涨至4.27美元，涨幅达85%，其上涨逻辑分为两个清晰阶段。 2025年上半年为“供给收缩驱动期”：三星、海力士等核心厂商为应对半导体周期下行主动减产，叠加中国国补政策刺激需求，供需格局逆转推动价格止跌回升；下半年则进入“AI需求驱动期”：AI Capex高增背景下，AI服务器SSD配比量激增，叠加英伟达Rubin架构创新性引入“推理上下文存储平台（ICMS）”，每个Rubin GPU可拓展16TB NAND，将KV Cache从HBM下沉至NAND以降低推理成本，进一步放大需求缺口。同时，HDD交付周期长达1年以上，价格更高但交期仅2个月的SSD成为部分客户的替代选择，进一步加剧NAND供需紧张。 NAND的供需矛盾，核心在于“需求爆发式增长”与“供给保守扩张”的错位。资本开支层面，尽管价格回升，全球NAND行业投入仍相对克制，2027年预计回升至183亿美元，两年复合增速仅6%。 核心原因是3D NAND的技术特性改变了扩产逻辑——无需新建产线，仅通过升级刻蚀、沉积设备提升堆叠层数，即可实现容量增长，厂商无需大规模投入即可释放产能，因此更倾向于维持紧平衡以最大化利润。供给端，当前行业月产能约196万片，2026年末预计微增至198万片，全年产能约2366万片，同比增长4%； 叠加堆叠层数提升带动单片晶圆产能增长（2026-2027年复合增速12%），2026-2027年NAND供应量预计达1041EB、1246EB，复合增速18%。 需求端同样由AI服务器主导。2026年，Rubin架构预计带动78EB NAND需求，其他AI服务器需求增量约180EB，合计AI服务器NAND需求达258EB，同比增长116%；2027年预计增至453EB，同比增长77%。 手机、PC领域受价格上涨压力，终端出货量下滑，但单机容量需求提升，两年间需求量预计分别稳定在298EB、187EB左右； 叠加传统服务器10%、工业等其他领域5%的增长，2026-2027年全球NAND总需求将达1094EB、1325EB，复合增速接近20%。供需对比显示，2026-2027年需求增速（18%、21%）均高于供给增速（16%、20%），缺口持续维持在5%-6%，AI服务器将在2027年超越手机、PC，成为NAND最大下游应用领域。

三、HDD：冷存储“成本王者”，控量提价下的紧平衡

在AI存储体系中，HDD的角色呈现“两极分化”：AI服务器（计算节点）因延迟高、易受震动影响，几乎不搭载HDD；但在AI数据中心（存储节点），HDD凭借“便宜且量大”的优势，仍是冷存储的绝对主力。其核心应用场景包括两方面：一是大模型训练前的原始数据清洗存储，二是AI推理产生的日志、用户交互数据及RAG底层索引的存档，这些场景对读写速度要求低，但对存储成本高度敏感。
成本优势是HDD难以被替代的核心壁垒。当前HDD的单位存储成本（TCO）仅为SSD的1/4-1/5，生产1EB存储所需的资本开支更是仅为SSD的1/50。尽管市场存在“SSD替代HDD”的声音，但短期内难以实现——仅当HDD交付周期长达1年（原材料备货3个月+生产测试6个月），部分客户为保障项目进度，才会“被迫”选择交期仅2个月的SSD。这一替代并非技术驱动，而是供给周期下的权宜之计，无法动摇HDD在海量冷存储中的地位。 HDD的供需紧张，更多源于厂商的主动调控而非产能不足。西部数据、希捷、东芝三大核心厂商对大规模扩产态度克制，一方面通过控制供应量推升价格以获取更高利润，另一方面因其扩产门槛低（无需新建产线，仅增加盘片和磁头即可扩容），具备随时释放产能的能力，因此更倾向于维持“紧平衡”格局。聚焦核心品类NL HDD（近线硬盘，占HDD出货量80%以上，是AI冷存储核心需求项），2026-2027年供给增速预计分别为29%、19%，而需求增速预计达33%、23%，需求持续跑赢供给。 长期来看，HDD的市场空间将呈现“结构性收缩”与“核心领域坚守”并存的格局。随着SSD技术升级与成本下降，其可能替代部分“靠近服务器侧”的中低容量冷存储需求；但在PB级以上的海量冷存储领域，HDD的成本优势仍将长期存在，成为AI数据中心不可或缺的“存储基石”。

总结：AI驱动的存储周期，差异化为投资核心

本轮存储行业的复苏，本质是AI算力革命引发的结构性机会，而非传统周期的循环往复。三大品类的供需格局与增长逻辑存在显著差异：DRAM因HBM产能挤压与AI服务器需求爆发，成为供需缺口最明确、确定性最强的赛道；NAND受益于AI热数据存储与HDD替代，缺口持续存在但供给弹性相对更高；HDD则凭借成本优势坚守冷存储阵地，供需紧张更多由厂商策略主导。
展望2026-2027年，存储行业的“紧平衡”格局将持续，价格上涨动能有望延续。对于市场参与者而言，需聚焦三大核心逻辑：一是DRAM领域的产能倾斜带来的DDR增量机会；二是NAND堆叠层数升级与AI需求增长的博弈；三是HDD厂商控量提价策略的持续性。AI重构下的存储行业，正迎来新一轮价值重估，差异化的供需逻辑将成为企业竞争力与投资回报的核心分水岭。


本文来自微信公众号：海豚研究，作者：海豚君，头图来自：视觉中国